Product Classification
MOS
MT81P03

MT81P03采用先进的沟槽工艺制造，其主要参数包括：-30V的漏源电压（VDS）和-12A的连续漏极电流（ID），在25°C环境温度下导通电阻（RDS(on)）典型值仅为28mΩ。这些参数使其在中低功率应用中表现出色。器件采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，适合表面贴装工艺。值得注意的是，其阈值电压（VGS(th)）范围为-1V至-2.5V，这意味着它可以在较低的栅极驱动电压下实现完全导通，有利于低电压系统的设计。

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